半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2020.02.02)

問答題
單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？
答案：
晶向偏離度總厚度誤差，平衡度，翹曲度等
問答題
簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。
答案：如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO
問答題
什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問題？
答案：固相外延是指半導(dǎo)體單晶上的非晶層在低于該材料的熔點(diǎn)或共晶點(diǎn)溫度下外延再結(jié)晶的過程。固相外延存在問題—&mda...
單項(xiàng)選擇題
金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是（）。
A.合金A-42
B.4J29可伐
C.4J34可伐
問答題
什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。
答案：濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當(dāng)入射離子的能量超過一定能量（濺射閾值）時，才能發(fā)生濺...
問答題
下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過程，寫出發(fā)生反應(yīng)的方程式，并簡述其中1～5各步的含義。
答案：（1）反應(yīng)氣體從腔體入口向晶圓片附近輸運(yùn)；
（2）這些氣體反應(yīng)生成系列次生分子；
（3）這些反應(yīng)物輸...
問答題
簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求？
答案：1、能很好的阻擋材料擴(kuò)散；
2、高電導(dǎo)率，低歐姆接觸電阻；
3、在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力；...
問答題
什么是CMOS技術(shù)？什么是 ASIC？
答案：CMOS（互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)：將成對的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）集成在一塊硅片上。使集成電路...
問答題
將圓柱形的單晶硅錠制備成硅片需要哪些工藝流程？
答案：整形處理，切片，磨片和倒角，刻蝕，拋光，清洗，硅片評估，包裝。
單項(xiàng)選擇題
超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接，焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實(shí)現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。
A.管帽變形
B.鍍金層的變形
C.底座變形

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半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2020.02.02)

單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。

什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問題？

金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是（）。

什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。

下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過程，寫出發(fā)生反應(yīng)的方程式，并簡述其中1～5各步的含義。

簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求？

什么是CMOS技術(shù)？什么是 ASIC？

將圓柱形的單晶硅錠制備成硅片需要哪些工藝流程？

超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接，焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實(shí)現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。

半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2020.02.02)

單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。

什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問題？

金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是（）。

什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。

下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過程，寫出發(fā)生反應(yīng)的方程式，并簡述其中1～5各步的含義。

簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求？

什么是CMOS技術(shù)？什么是 ASIC？

將圓柱形的單晶硅錠制備成硅片需要哪些工藝流程？

超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接，焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實(shí)現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。

單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問題？

金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是（）。

什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。

下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過程，寫出發(fā)生反應(yīng)的方程式，并簡述其中1～5各步的含義。

簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求？

什么是CMOS技術(shù)？什么是 ASIC？

將圓柱形的單晶硅錠制備成硅片需要哪些工藝流程？

超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接，焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實(shí)現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。