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單項選擇題
一個以N-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中,其閾值電壓應(yīng)該是()的,積累狀態(tài)時所加的柵電壓應(yīng)該是()的
A.正,正
B.正,負
C.負,正
D.負,負
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單項選擇題
P-Sub的理想MOS結(jié)構(gòu)襯底的費米勢應(yīng)該是()的;強反型時,其空間電荷區(qū)中的電荷應(yīng)該是()的
A.正,正
B.正,負
C.負,正
D.負,負
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單項選擇題
不影響MOS管閾值電壓的參數(shù)有()
A.柵氧厚度
B.襯底濃度
C.源漏區(qū)的長度
D.有效表面態(tài)電荷
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