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P-Sub的理想MOS結(jié)構(gòu)襯底的費(fèi)米勢應(yīng)該是()的;強(qiáng)反型時(shí),其空間電荷區(qū)中的電荷應(yīng)該是()的
A.正,正
B.正,負(fù)
C.負(fù),正
D.負(fù),負(fù)
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單項(xiàng)選擇題
不影響MOS管閾值電壓的參數(shù)有()
A.柵氧厚度
B.襯底濃度
C.源漏區(qū)的長度
D.有效表面態(tài)電荷
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單項(xiàng)選擇題
關(guān)于雙極型晶體管(BJT)的基區(qū),基區(qū)寬度越(),載流子傳輸過程中的損失越小,基區(qū)濃度越(),載流子傳輸過程中的損失越大
A.大,高
B.大,低
C.小,高
D.小,低
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