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問答題
【簡答題】簡述IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET各自的優(yōu)缺點(diǎn)。
答案：
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問答題
【簡答題】如何防止電力MOSFET因靜電感應(yīng)應(yīng)起的損壞？
答案：
電力MOSFET的柵極絕緣層很薄弱，容易被擊穿而損壞。MOSFET的輸入電容是低泄漏電容，當(dāng)柵極開路時(shí)極易受靜電干擾而充...
