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填空題
用C-V測(cè)試可以測(cè)定二氧化硅薄膜的：（）
答案：
界面態(tài)密度、可動(dòng)電荷密度和固定電荷密度
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填空題
氧化層厚度的測(cè)量方法主要有：（）。
答案：
比色法、橢圓偏振儀測(cè)試法、臺(tái)階測(cè)試、相干光波長(zhǎng)差測(cè)量、擴(kuò)展電阻測(cè)試、掃描電鏡測(cè)量
填空題
氧化時(shí)（）稱為分凝效應(yīng)。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。
答案：
硅中的雜質(zhì)濃度與SiO2中濃度出現(xiàn)差別的現(xiàn)象；小于；大于
