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半導體材料砷化鎵GaAs的本征吸收長波限為873nm,則GaAs的禁帶寬度為()
A.1.42J
B.1.42eV
C.1.42E-3J
D.1.42E-3eV
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已知一He-Ne激光器(波長為632.8nm)出射激光束的光子流速率N為9.55E16個/秒,則該束激光功率為()
A.30mW
B.90mW
C.30W
D.90W
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直視型真空圖像探測器由幾部分組成()
A.圖像轉(zhuǎn)換
B.增強
C.高真空管殼
D.陽極
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