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VCZ
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蒸汽控制直拉技術(shù)。把坩堝-晶體置于一準密封的內(nèi)生長室內(nèi),內(nèi)生長室中放置少量As,使內(nèi)生長室內(nèi)充滿As氣氛。這樣即使在相當...
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合成溶質(zhì)擴散法。化合物溶質(zhì)在出于高溫區(qū)的溶劑表面合成,在溫度梯度和濃度梯度的驅(qū)動下向坩堝底部擴散,并在溫度較低的坩堝底部...
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LEC
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液態(tài)密封法,在熔體上覆蓋透明而粘滯的惰性熔體,再向單晶爐內(nèi)充入大于熔體離解壓的惰性氣體,用此法來抑制化合物材料的理解。
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