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問答題
【簡答題】簡述CVD工藝的的工藝流程
答案：
（1）氣體或氣相源材料進入反應器
（2）源材料擴散穿過邊界層并接觸襯底
（3）源材料吸附在襯底表面<...
（2）源材料擴散穿過邊界層并接觸襯底
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問答題
【簡答題】熱生長氧化物和CVD氧化物的本質(zhì)區(qū)別是什么？
答案：
生長的薄膜與消耗的硅襯底，淀積的薄膜不消耗硅襯底。熱生長的二氧化硅來自氣相氧，硅來自襯底，當薄膜生長進入襯底時，這個過程...
