單項(xiàng)選擇題

在刻蝕二氧化硅過程中假如我們在CF₄的（）內(nèi)加入適量的氫氣，能夠降低刻蝕的速率。

A.氣體
B.等離子體
C.固體
D.液體

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單項(xiàng)選擇題

在刻蝕（）過程中假如我們在CF₅的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣，能夠提高刻蝕的速率。

A.銅
B.鋁
C.金
D.二氧化硅

多項(xiàng)選擇題

下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。

A.CF₄
B.BCl₃
C.Cl₂
D.F₂
E.CHF₃

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