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單項(xiàng)選擇題
干氧氧化中,氧化爐內(nèi)的氣體壓力應(yīng)()一個(gè)大氣壓。
A.稍高于
B.大大于
C.等于
D.沒(méi)有要求
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單項(xiàng)選擇題
下列幾種氧化方法相比,哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會(huì)高些()。
A.干氧氧化
B.濕氧氧化
C.水汽氧化
D.與氧化方法無(wú)關(guān)
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單項(xiàng)選擇題
二氧化硅薄膜的折射率是表征其()學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。
A.電
B.磁
C.光
D.熱
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