半導(dǎo)體材料單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.04.24)

單項(xiàng)選擇題
在光電轉(zhuǎn)換過程中，Si比GaAs量子效率低，因?yàn)槠洌ǎ?/h4>
A.禁帶較窄
B.禁帶較寬
C.禁帶是間接躍遷型
D.禁帶是直接躍遷型
單項(xiàng)選擇題
重空穴指的是（）。
A.質(zhì)量較大的原子形成的半導(dǎo)體產(chǎn)生的空穴
B.價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴
C.價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴
D.自旋—軌道耦合分裂出來的能帶上的空穴
單項(xiàng)選擇題
用冷熱探筆法測量（）半導(dǎo)體時(shí)，冷端帶正電，熱端帶負(fù)電。
A.P型
B.N
C.PN型
D.以上皆不是
單項(xiàng)選擇題
下列與硼氧復(fù)合體缺陷無關(guān)的是（）。
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
單項(xiàng)選擇題
當(dāng)晶體生長的較快，內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）.
A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定

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